TFM-125-02-F-D-K 是一种高性能薄膜混合电路模块,专为高频通信、射频放大器和其他无线应用设计。该器件采用先进的薄膜工艺技术制造,具有出色的频率响应和稳定性,能够在高频率条件下保持低插入损耗和低反射特性。
这种模块通常集成了匹配网络、滤波器和耦合元件等功能组件,适用于需要高精度和稳定性的射频系统中。
封装类型:表面贴装
工作频率范围:DC 至 12GHz
插入损耗:≤1.2dB(典型值)
回波损耗:≥14dB(典型值)
额定功率:2W(连续波)
隔离度:≥25dB(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:12.5mm x 10mm x 2.5mm
TFM-125-02-F-D-K 的主要特性包括:
1. 高频性能:其工作频率范围可高达12GHz,非常适合于高速数据传输和射频通信领域。
2. 低插入损耗:在高频范围内表现出极低的插入损耗,保证信号完整性。
3. 稳定性:即使在极端温度环境下,也能维持稳定的电气性能。
4. 小型化设计:紧凑的尺寸使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 可靠性:通过严格的质量控制流程,确保产品具备长寿命和高可靠性。
6. 易于集成:支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和大批该芯片模块广泛应用于以下领域:
1. 射频通信设备:如基站、卫星通信系统等。
2. 微波测试仪器:用于测量和分析高频信号。
3. 医疗电子设备:例如超声波成像仪中的前端信号处理。
4. 工业自动化:实现精密控制和远程监控功能。
5. 汽车雷达系统:为自动驾驶提供环境感知能力。
6. 军事与航空航天:雷达、导航及通讯设备的核心组件。
TFM-125-02-F-D-M, TFM-125-01-F-D-K