时间：2025/5/12 9:22:17
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GMC04CG331F50NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），属于 GaN Systems 的功率器件系列。该型号适用于高频、高效能电力转换场景，广泛应用于电源管理、可再生能源系统、数据中心供电和工业驱动等领域。
该芯片采用增强型结构设计，支持高电压操作，同时具备低导通电阻特性，能够显著提升系统的效率与功率密度。
额定电压：650V
最大漏极电流：28A
导通电阻：33mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：高达 2MHz
封装形式：GaN Enhanced Power Package (EPP)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GMC04CG331F50NT 具备卓越的性能特点：
1. 基于先进的 GaN 技术，提供更高的开关速度和更低的开关损耗。
2. 超低导通电阻有效减少传导损耗，提高整体效率。
3. 支持高频运行，能够缩小无源元件尺寸，从而实现更紧凑的设计。
4. 高温适应性强，能够在极端环境下保持稳定工作。
5. 内置静电保护（ESD）功能，增强可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
GMC04CG331F50NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC/DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 数据中心电源模块。
4. 电动车辆（EV）车载充电器（OBC）与 DC/DC 转换器。
5. 工业电机驱动和不间断电源（UPS）。
6. 消费电子快充适配器等高性能需求产品。
GMC04CG332F50NT
GMC04CG333F50NT
