时间：2025/7/11 18:30:45
阅读：14
DMG3130LQ 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET，采用微型封装设计（如 SOT23），适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，因此非常适合于消费类电子、通信设备及工业控制中的功率管理电路。
其低 Qg 和低 Rds(on) 特性使其成为电池供电设备的理想选择，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：680pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMG3130LQ 的主要特点是低导通电阻和小尺寸封装，这使得它在便携式设备中表现优异。此外，其高开关速度有助于减少开关损耗，并支持高频操作。低栅极电荷和阈值电压进一步提升了效率和易用性。此器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
同时，DMG3130LQ 提供了卓越的 ESD 防护能力，简化了设计流程并增强了系统的鲁棒性。
DMG3130LQ 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动、背光驱动以及电池管理系统等场合。由于其紧凑的外形和高性能指标，它特别适合智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式电子产品中的功率转换与管理模块。此外，在汽车电子领域，该器件也可用于辅助电源和信号调节电路。
DMG3130UKE, DMG3133LKE, BSS138
