类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：11A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大）
　　功耗（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

S2PF380N65 MOSFET具有优异的导通和开关性能。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的耐压能力高达650V，适用于高电压应用环境，如AC-DC电源转换和工业电机控制。此外，S2PF380N65具备良好的热稳定性，可在高温条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。它还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小电源模块的体积并提高功率密度。由于其TO-220或TO-247封装设计，便于散热和安装，适合多种工业和消费类电子设备。
　　该MOSFET在设计上优化了栅极结构，减少了栅极电荷（Qg），从而降低了驱动损耗和开关损耗，提高了整体效率。同时，其雪崩能量耐受能力较强，有助于在突发电压冲击情况下保护器件免受损坏。S2PF380N65还具备良好的抗静电能力，符合工业级ESD标准，确保在复杂电磁环境中稳定运行。

S2PF380N65 常用于各种高电压、中等功率的电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机控制电路、工业自动化设备、照明系统以及电池管理系统（BMS）等。其高耐压和低导通电阻特性也使其适合用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及家电控制电路中。此外，在电动车充电器、LED驱动电源和变频器中也广泛应用。

TK11A60D, 2SK2545, IRF840, FQP11N60C