时间：2025/8/22 14:31:32
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SEMIX653GAL126HDS 是一款由 SEMIKRON（赛米控）公司生产的高性能功率模块，基于碳化硅（SiC）技术，适用于高效率、高频率的电力电子应用。该模块采用了先进的双封装技术，具备较高的热稳定性和电气性能，适合用于电动汽车、可再生能源系统以及工业电源等领域。
类型：SiC MOSFET 功率模块
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大连续漏极电流（ID）：3x150A（并联）
导通电阻（RDS(on)）：约20mΩ
工作温度范围：-40°C 至 +175°C
封装形式：双面散热（DS）
引脚数量：26
安装方式：螺钉固定
绝缘材料：陶瓷基板
SEMIX653GAL126HDS 模块采用 SiC MOSFET 技术，具有极低的导通损耗和开关损耗，使得系统整体效率显著提升。模块内部采用三相半桥结构，便于功率电路的设计与布局。此外，该模块具备双面散热设计，可有效提高散热效率，适用于高功率密度的应用场景。
其陶瓷基板提供了良好的绝缘性能和热传导能力，增强了模块在高电压、高电流条件下的稳定性。模块设计中还考虑了电磁干扰（EMI）的优化，有助于降低系统中噪声干扰，提高整体可靠性。此外，该模块的结构设计支持快速更换和维护，提升了系统的可维护性。
由于 SiC 材料的特性，该模块可在更高的开关频率下运行，从而减小外围电感和电容的体积，进一步提升系统功率密度。模块还具备较强的过流和短路保护能力，提高了在恶劣工作环境下的安全性。
SEMIX653GAL126HDS 主要应用于高效率电力电子系统，如电动汽车充电系统、车载逆变器、可再生能源系统（如光伏逆变器）、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）等。由于其高耐压、高频率和高效率的特性，特别适合用于对空间和效率有较高要求的场合。
SKM600GB12T4ag, FS600R12KE3, CM600DY-24A
