类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：240A
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247

240N10F是一款高性能N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极电压下可实现约2.7mΩ的典型值，这使得它在高电流应用中具有极低的传导损耗，提高了整体效率。其高电流承载能力（240A）和耐压能力（100V）使其适用于各种高功率场景。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能，降低了开关损耗，从而提高了系统的整体能效。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，其最大工作温度可达+175°C，适合在严苛的工业环境中使用。此外，它还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，提高了系统的可靠性与安全性。
　　TO-247封装设计有助于良好的散热性能，适合安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。该封装也使得该器件易于在电路板上安装和更换，适用于各种功率电子设备的设计与制造。
　　由于其优异的电气性能和机械性能，240N10F广泛应用于电源转换系统、电机控制、电动汽车充电系统、电池管理系统以及工业自动化设备中。

240N10F广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。其优异的导通性能和高电流能力使其成为电动汽车充电设备、储能系统和高效率电源模块的理想选择。

SiHF240N10T、IPW240N10ND、FDP240N10F