时间：2025/8/28 15:38:13
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MR2520LRL 是一款由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies 所属）生产的 256K 位串行非易失性 F-RAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件结合了 RAM 的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力，支持无限次读写操作，无需等待写周期，掉电后数据仍可保持10年以上。MR2520LRL 采用 SPI 接口，适用于需要高速、高可靠性及低功耗的应用场景。
容量：256 Kbit
接口类型：SPI
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大时钟频率：40 MHz
数据保持时间：10年（掉电状态）
封装形式：8引脚 SOIC
读写耐久性：10^14 次读/写周期
MR2520LRL 的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储单元，使得该芯片具备几乎无限的读写耐久性（高达10^14次），远超传统EEPROM和Flash存储器。此外，它无需写入等待时间，允许在每次写入操作后立即进行下一次操作，显著提高了系统效率。
该芯片支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，适合需要快速数据记录和频繁更新的应用。工作电压范围为2.7V至3.6V，具有良好的电源适应性。在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适用于各种恶劣环境。
MR2520LRL 还具备低功耗特性，在读写操作中功耗极低，非常适合电池供电设备。此外，其非易失性确保了在系统断电时不会丢失数据，避免了因电源故障导致的数据丢失问题。
MR2520LRL 广泛应用于需要高可靠性、高速数据存储和频繁写入操作的场景，如工业控制系统、智能电表、医疗设备、数据采集系统、安防监控设备、网络设备和汽车电子系统等。例如，在智能电表中用于实时存储计量数据；在医疗设备中用于记录关键参数；在工业自动化中用于缓存控制指令和传感器数据等。
FM25V05-GTR、MB85RS2MT-05VGB1ER、FRAM-A25L320
