SPVQ810704是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺,旨在为高效率和低功耗的应用提供支持。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理和功率转换场景。
SPVQ810704主要针对汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的高效能需求设计。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产并提高可靠性。
型号:SPVQ810704
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4mΩ
Id(持续漏电流):82A
栅极电荷:26nC
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-263 (D2PAK)
SPVQ810704的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关性能,适合高频工作环境。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 支持表面贴装技术(SMT),简化生产和组装过程。
SPVQ810704广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
2. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
3. 工业设备中的逆变器和DC/DC转换器。
4. 消费类电子产品的电池管理及保护电路。
5. LED照明系统的驱动电路设计。
6. 各种需要高效功率控制的场合。
IRLZ44N
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