容量：1M x 4位
　　电压：5V
　　封装类型：SOJ
　　引脚数：28-pin
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　时钟频率：可支持高达14MHz
　　数据保持电压：2V至5.5V

HM514402CZ7具有多项优良的电气和物理特性。其高速访问时间为70ns，支持14MHz的工作频率，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用CMOS技术，不仅提高了数据稳定性，还降低了功耗，使其在高频工作状态下也能保持良好的能效表现。此外，它支持2V至5.5V的宽电压范围进行数据保持，能够在电源中断时维持数据完整性，适用于电池供电或备用电源系统。
　　该DRAM芯片的1M x 4位配置提供了4Mbit的总存储容量，适用于需要中等容量内存的系统设计。其28引脚SOJ封装结构紧凑，具备良好的机械稳定性和热稳定性，适合在空间受限的环境中使用。同时，该封装方式也便于焊接和维护，提高了整体系统的可靠性。
　　HM514402CZ7还具有良好的抗干扰能力和稳定性，适用于工业级环境。其工作温度范围为0°C至70°C，可在大多数商业和工业应用中正常运行，不会因温度变化而影响性能。此外，该芯片的设计符合JEDEC标准，确保与其他DRAM兼容设备的互操作性。

HM514402CZ7广泛应用于需要高速存储和数据缓冲的设备中，如个人计算机、工作站、服务器、嵌入式系统、图像处理设备、通信设备以及工业控制设备。其低功耗与高速特性也使其适用于便携式电子产品或需要备用电源的系统。此外，该芯片还可用于旧款计算机系统的内存升级或替换，以提高系统性能和稳定性。

HM514402CZ7的替代型号包括HM514402CZ-6、HM514402CZ-10、TC514402AZB-70、CY7C1021B-70ZS、CY7C1002B-70ZS等兼容DRAM芯片。