时间：2025/12/25 11:18:15
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RQ5E025ATTCL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和场截止技术设计，专为高效率开关应用而优化。该器件封装在小型且热性能优良的TCLGA（Thin and Compact LGA）封装中，适用于对空间和散热有严格要求的应用场景，如服务器电源、笔记本电脑适配器、DC-DC转换器以及电池管理系统等。RQ5E025ATTCL具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流处理能力和优异的开关特性，能够在高频工作条件下实现较低的传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，符合工业级温度范围要求，适合在严苛环境下长期运行。器件还通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在汽车电子应用中的可靠性和耐用性，可广泛用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电机控制单元中。RQ5E025ATTCL的设计注重能效与尺寸的平衡，是现代高密度电源系统中的理想选择之一。
型号：RQ5E025ATTCL
制造商：Renesas Electronics
器件类型：N沟道MOSFET
封装类型：TCLGA (Thin Compact LGA)
最大漏源电压（VDS）：60 V
最大连续漏极电流（ID）：87 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：240 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 10 V：2.5 mΩ
导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 4.5 V：3.2 mΩ
栅极电荷（Qg typ）：63 nC @ VDS = 48 V, ID = 43.5 A
输入电容（Ciss typ）：4920 pF @ VDS = 30 V
输出电容（Coss typ）：1280 pF @ VDS = 30 V
反向恢复时间（trr typ）：25 ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
安装类型：表面贴装（SMD）
符合RoHS标准：是
AEC-Q101认证：是
RQ5E025ATTCL采用瑞萨先进的沟槽栅极与场截止结构技术，显著降低了导通电阻与寄生电容之间的权衡，实现了超低的RDS(on)值，在60V额定电压下典型值仅为2.5mΩ（VGS=10V），这使得器件在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提升系统效率。其低Qg和Qsw特性进一步优化了开关性能，减少了驱动功耗和开关过程中的能量损失，特别适用于高频工作的电源拓扑，如同步整流、半桥和全桥电路。
该器件的封装采用TCLGA技术，具有极低的热阻（Junction-to-Case Thermal Resistance），确保热量能高效地从芯片传递到PCB，从而支持持续高电流运行而不发生过热问题。同时，紧凑的封装尺寸有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。TCLGA封装还具备优异的机械稳定性和抗振动能力，适合在汽车电子等恶劣环境中使用。
RQ5E025ATTCL经过严格的可靠性测试，并通过AEC-Q101汽车级认证，证明其在高温、高湿、热循环和长期偏置应力下的稳定性与耐久性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端环境温度下可靠运行，适用于引擎舱附近或密闭空间内的电子控制单元。此外，内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约25ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了开关节点上的电压振铃和电磁干扰（EMI），有利于简化滤波设计并提高系统EMC性能。综合来看，该器件在性能、可靠性与封装方面达到了高度平衡，是高性能电源管理系统的优选方案。
RQ5E025ATTCL广泛应用于需要高效能、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）及POL（点负载）转换器，其中低RDS(on)和快速开关特性有助于实现90%以上的转换效率。在通信电源、工业电源和嵌入式电源系统中，该器件可用于同步降压、升压或半桥拓扑结构，提供稳定的直流输出。在汽车电子领域，它被用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器（如12V/48V系统）、电机驱动控制器和电池管理系统（BMS），得益于其AEC-Q101认证和出色的热性能，能够在复杂电磁环境和宽温范围内稳定工作。此外，消费类电子产品如高端笔记本电脑、游戏主机和快充适配器也采用此类高性能MOSFET以实现更小体积和更高能效。新能源设备如太阳能逆变器和储能系统中，RQ5E025ATTCL也可作为主开关或同步整流元件，提升整体能源利用率。
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