类型：高压硅堆整流器
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：68kV
　　平均整流电流（IO）：20mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　绝缘材料：环氧树脂封装
　　引脚配置：双列直插式或引线式结构
　　绝缘耐压：≥75kV（典型）
　　正向压降（VF）：≤1.5V per diode stage
　　反向漏电流（IR）：≤5μA（在额定电压下）

20SH68M高压硅堆的核心特性在于其多级串联二极管结构设计，这种结构使得它能够在保持较低单体电压应力的同时实现极高的整体反向耐压能力。每个内部二极管芯片都经过严格筛选和匹配，确保在高电压条件下各单元之间的电压分布均匀，从而避免个别元件因过压而提前击穿。该器件采用了先进的扩散工艺制造的PN结二极管，具备良好的热稳定性和长期工作可靠性。其正向导通特性表现出较低的正向压降，有助于减少功率损耗，提高整流效率；同时，在反向截止状态下，漏电流极小，即使在接近极限电压的工作条件下也能维持良好的绝缘性能。器件外部采用高强度环氧树脂整体灌封，不仅提供了优异的电气绝缘性能，还增强了机械强度和防潮能力，适合在恶劣环境中长期运行。灌封材料经过特殊配方处理，具有抗紫外线、耐高温老化和抗开裂等特性，有效延长了产品寿命。此外，20SH68M的设计考虑了电磁兼容性问题，内部引线布局合理，减少了寄生电感和电容的影响，提升了高频响应能力和抗干扰性能。该器件支持交变输入电压下的连续整流工作模式，可应用于全波或半波整流电路中，灵活性较高。由于其非对称导电特性，还能用于电压倍增电路（如Cockcroft-Walton倍压器）中作为关键整流元件。值得注意的是，尽管20SH68M具备较高的耐压能力，但在实际使用过程中仍需避免瞬态过电压冲击，建议配合TVS管或RC吸收网络进行保护。另外，安装时应保证足够的爬电距离和空气间隙，防止高压击穿或沿面闪络现象的发生。
　　为了确保长期可靠运行，制造商通常会对每批产品进行高温反偏（HTRB）测试和高压老炼筛选，剔除潜在缺陷品。这使得20SH68M在工业级应用中表现出卓越的一致性和耐用性。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，适用于出口型电子设备。虽然该器件本身不具备过流或过压保护功能，但可通过外接保险丝、限流电阻和稳压反馈回路构建完整的安全工作机制。总体而言，20SH68M凭借其高耐压、小体积、高可靠性的特点，成为众多高压电源系统中不可或缺的关键元器件之一，广泛服务于办公自动化设备、医疗仪器、科研装置等领域。

20SH68M高压硅堆主要应用于需要将交流高压转换为直流高压的小电流电源系统中。典型应用场景包括激光打印机和复印机中的充电辊高压电源，用于为感光鼓提供均匀的静电场；在空气净化器或静电除尘设备中，作为电离段的高压发生器核心组件，产生强电场使空气中的颗粒物带电并被收集；也常见于小型X射线发生装置、示波器CRT驱动电路、光电倍增管供电模块等精密仪器中，为其提供稳定可靠的高压直流输出。此外，该器件还可用于工业静电喷涂、静电纺丝、实验室高压实验电源以及某些类型的离子风机等设备中。由于其具备良好的绝缘性能和抗环境干扰能力，20SH68M也适用于户外或潮湿环境下的高压信号检测与隔离电路。在维修替换领域，该型号常被用作原装高压包（Flyback Transformer Assembly）内部整流模块的替代件，尤其适用于无法获取原厂配件的情况。结合适当的外围电路设计，20SH68M还可以构成电压倍增器（voltage multiplier），实现更高电压等级的输出，满足特殊场合的需求。因其体积小巧且安装简便，非常适合空间受限的嵌入式高压模块设计。在新能源和电力电子研究领域，该器件也被用于教学演示和原型验证系统中，帮助学生理解高压整流原理和电路拓扑结构。总之，凡是涉及低电流、高电压直流电源生成的场景，20SH68M均是一个成熟且经济有效的解决方案选择。

HV2068M
　　20SH68MA
　　68M20S