类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：140A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.0036Ω（典型值0.003Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装类型：TO-220

SKT140F06DS具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该特性对于高电流应用尤为重要，例如电动机控制和DC-DC转换器。其次，这款MOSFET具有高电流处理能力，能够在极端工作条件下稳定运行。
　　此外，SKT140F06DS采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能保持较低的工作温度。这种设计不仅提高了器件的可靠性，还延长了其使用寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，同时具备较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。此外，SKT140F06DS还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流而不损坏。

SKT140F06DS广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于电动汽车的电池管理系统、工业电机驱动器、DC-DC转换器、功率开关电路以及高功率LED照明系统。其高效率和高可靠性的特点，使其成为现代电源管理系统中的理想选择。此外，由于其出色的热管理和高电流能力，SKT140F06DS也非常适合用于汽车电子系统中的高负载控制应用，例如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器。

SKT140F06DS的替代型号包括IRF1406Z、SiS436ADN-T1-GE3、PSMN1R2-20YL、FDMS86201。