MMSF4P01HDR2 时间：2025/12/29 13:56:19 阅读：12

MMSF4P01HDR2 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、低电压应用，适合在电源管理和负载开关等电路中使用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高可靠性，适用于便携式设备、电池供电系统和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：-20 V
　　最大栅源电压 Vgs：±12 V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：-4.1 A
　　导通电阻 Rds(on)：0.048 Ω @ Vgs = -4.5 V
　　导通电阻 Rds(on)：0.063 Ω @ Vgs = -2.5 V
　　功耗（Pd）：1.4 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：6

特性

MMSF4P01HDR2 具有多个关键特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通损耗，提高系统效率，尤其是在高电流应用中效果明显。该器件支持的最大漏源电压为 -20V，适用于低压电源管理系统。此外，该MOSFET在栅极驱动电压为 -4.5V 和 -2.5V 时均可提供较低的导通电阻，使得它能够在不同栅极驱动条件下保持良好的性能，增强了设计的灵活性。
　　该器件采用 TSOP 封装，具有较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。其最大连续漏极电流为 -4.1A，能够支持中等功率的负载切换需求。同时，MMSF4P01HDR2 的热阻较低，有助于在高负载条件下维持良好的热性能，提高器件的可靠性和使用寿命。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　此外，该 MOSFET 内置静电放电（ESD）保护功能，可有效防止因静电引起的损坏，提高器件在生产、运输和使用过程中的安全性。该器件的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。

应用

MMSF4P01HDR2 广泛应用于多个领域，包括但不限于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关电路、电源管理模块以及汽车电子系统。在便携式设备中，该器件可作为高效能的电源开关，帮助延长电池续航时间。在电池管理系统中，MMSF4P01HDR2 可用于实现高效的充放电控制和保护电路。在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为同步整流器或主开关器件，提升转换效率。由于其良好的热性能和工业级工作温度范围，该器件也常用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、照明控制系统和车载娱乐系统等。