型号：SI88622ED-IS
　　通道数：2
　　通道方向：2 x 正向
　　数据速率：最高150 Mbps
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，UL认证）
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V（VDD1/VDD2）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　传播延迟：典型值15ns
　　脉冲宽度失真：≤5ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100 kV/μs
　　电源电流（每通道）：典型值2.5mA @ 100kbps
　　封装类型：SOIC-8（宽体，8引脚）
　　安全认证：UL1577、IEC 60747-5-5 VDE、IEC/EN/DIN EN 61010-1

SI88622ED-IS的核心优势之一在于其基于硅基电容隔离技术的架构，相较于传统的光电耦合器，它避免了LED老化、寿命有限以及温度漂移严重的问题，从而显著提升了系统的长期可靠性与稳定性。该芯片内部通过高频调制方式将数字信号跨过隔离层进行传输，接收端则利用差分检测机制有效抑制共模噪声，确保在高压环境中仍能保持准确的信号完整性。其高达100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）指标使其在存在剧烈电压波动的应用如电机控制、逆变器驱动中表现出色，能够防止因快速电压变化引起的误触发或数据错误。
　　另一个关键特性是低功耗与高数据速率的结合。SI88622ED-IS在100kbps的工作频率下每通道仅消耗约2.5mA电流，而在满负荷运行时也能维持良好的能效比，有助于降低整体系统热负荷并延长设备使用寿命。同时，150Mbps的最大数据速率支持高速通信协议如SPI、UART、I2C以及编码器反馈信号的隔离传输，满足现代工业通信对实时性的严苛要求。此外，该器件具备精确的通道匹配性和极低的脉冲宽度失真（PWD），保证了双通道之间的时间一致性，对于需要同步操作的应用至关重要。
　　SI88622ED-IS还集成了多项保护功能，包括欠压锁定（UVLO）和热关断保护，以防止在异常供电条件下发生误动作。其双向通道配置灵活，支持多种逻辑电平输入，易于与MCU、DSP、FPGA等控制器无缝对接。制造上采用标准SOIC-8封装，无需额外的外部元件即可实现完整的信号隔离解决方案，简化了PCB布局并提高了生产良率。总体而言，SI88622ED-IS凭借其高集成度、高可靠性和优异电气性能，成为工业级数字隔离应用的理想选择。

SI88622ED-IS广泛应用于各类需要电气隔离的高性能电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数字I/O隔离板、现场总线接口以及传感器信号调理电路中，用以隔离微控制器与外部高电压或高噪声环境，保障控制系统安全运行。在电源管理系统中，该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及隔离式栅极驱动电路中，实现反馈环路的信号隔离，提高电源效率与响应速度。在电机驱动系统中，SI88622ED-IS可用于隔离来自编码器或霍尔传感器的位置反馈信号，确保主控单元获取准确的转子位置信息，从而实现精准的速度与位置控制。
　　在可再生能源系统如光伏逆变器和风力发电控制器中，SI88622ED-IS被用来隔离电网侧与控制侧之间的通信信号，防止高压串扰损坏低压控制电路，同时满足严格的安全规范要求。在医疗电子设备中，因其具备高绝缘强度和低漏电流特性，适用于病人连接型监测设备中的信号隔离，确保患者安全并符合医疗安规认证。此外，在测试与测量仪器、数据采集系统以及通信基础设施中，该芯片也发挥着重要作用，用于隔离高速数字信号线路，防止地环路干扰影响测量精度。总之，凡涉及高压与低压电路之间信号传输且要求高可靠性、高速度和长寿命的场合，SI88622ED-IS均是一个理想的选择。

ISO7221ADBR
　　ADM3262EWRZ