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202S43W332KV4E 发布时间 时间:2025/7/1 19:10:26 查看 阅读:7

202S43W332KV4E 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款器件属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能量转换和严格散热控制的场景。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和集成设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

202S43W332KV4E 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频操作。
  4. 强大的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 内置反向恢复二极管,优化了在同步整流和逆变器中的表现。
  6. 符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节和负载管理。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电驱控制单元。
  6. 各类高效能电力电子装置中的功率转换组件。

替代型号

IRF3205, FDP5800, STP90NF06L

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202S43W332KV4E参数

  • 产品培训模块MLCC BasicsHigh Voltage PCB Design
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列-
  • 电容3300pF
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 尺寸/尺寸0.180" L x 0.125" W(4.57mm x 3.17mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.110"(2.80mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高电压
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称709-1054-6