时间：2025/6/17 9:51:43
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ME2803A30M3G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性，适用于多种电源转换场景。
它具有快速开关速度、高击穿电压以及较低的寄生电感等优势，使得其在高频率下的能量损耗显著降低，同时提升了系统的整体效率。
型号：ME2803A30M3G
类型：GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：30mΩ
Id（连续漏极电流）：28A
Qg（栅极电荷）：74nC
Ciss（输入电容）：1580pF
Coss（输出电容）：90pF
FBS（反向恢复时间）：无反向恢复问题
封装形式：TO-247-3L
ME2803A30M3G 具有出色的开关性能和热稳定性。得益于 GaN 技术，该器件在高频条件下表现出更低的开关损耗和更高的功率密度。
此外，其低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提升效率。由于没有反向恢复问题，ME2803A30M3G 在硬开关和软开关拓扑中均能实现优异表现。
它的高可靠性设计使其适合工业级和消费级应用，并能在极端温度环境下保持稳定工作。同时，该器件支持宽范围的工作条件，有助于简化系统设计。
ME2803A30M3G 广泛应用于各类高效率功率转换场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 无线充电设备
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 快速充电适配器
由于其高频特性，它还特别适用于小型化和轻量化设计需求的应用领域，如便携式电子设备电源模块。
ME2803A35M3G
ME2803A40M3G
