AO4801A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,适合于需要低功耗和高效能的电路设计。其出色的导通电阻特性使其在便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统中得到广泛应用。
该芯片的最大漏源电压为30V,具备较低的导通电阻,同时拥有快速开关性能和极低的栅极电荷,有助于提高整体系统的效率。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:1.5A
导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:1.6nC(典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
AO4801A具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
2. 小巧的SOT-23封装形式,节省PCB空间,非常适合空间受限的应用。
3. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷特性,适用于高频应用。
4. 宽工作温度范围,可确保在极端环境下保持稳定性能。
5. 高可靠性和耐用性,符合工业级标准。
AO4801A广泛应用于以下领域:
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电池管理与保护电路。
4. 开关电源及LED驱动电路。
5. 任何需要高效能和小体积MOSFET的场合。
AO3400A, FDN340P, SI2302DS