您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AO4801A

AO4801A 发布时间 时间:2025/6/22 13:22:47 查看 阅读:5

AO4801A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,适合于需要低功耗和高效能的电路设计。其出色的导通电阻特性使其在便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统中得到广泛应用。
  该芯片的最大漏源电压为30V,具备较低的导通电阻,同时拥有快速开关性能和极低的栅极电荷,有助于提高整体系统的效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:1.6nC(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

AO4801A具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
  2. 小巧的SOT-23封装形式,节省PCB空间,非常适合空间受限的应用。
  3. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷特性,适用于高频应用。
  4. 宽工作温度范围,可确保在极端环境下保持稳定性能。
  5. 高可靠性和耐用性,符合工业级标准。

应用

AO4801A广泛应用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流器。
  3. 电池管理与保护电路。
  4. 开关电源及LED驱动电路。
  5. 任何需要高效能和小体积MOSFET的场合。

替代型号

AO3400A, FDN340P, SI2302DS

AO4801A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AO4801A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

AO4801A参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)