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PXN8R3-30QLJ 发布时间 时间:2025/9/14 0:51:07 查看 阅读:6

PXN8R3-30QLJ 是一款由 Powerex(现为 Littelfuse 品牌)制造的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,广泛用于高功率应用,如工业电机驱动、逆变器和电源系统。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,提供高效率和可靠性。

参数

类型:IGBT 模块
  集电极-发射极电压(VCES):600V
  额定集电极电流(IC):80A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  短路耐受能力:典型值 10μs
  封装类型:双列直插式(DIP)
  安装方式:通孔安装
  热阻(RthJC):约 0.35°C/W
  工作频率:最高可达 20kHz

特性

PXN8R3-30QLJ 具有低导通压降和开关损耗,适用于高效率功率转换系统。
  其采用先进的沟槽栅场截止 IGBT 技术,提供更好的载流能力和更低的饱和压降。
  该模块内置反并联二极管,适用于 PWM 逆变器和电机控制应用。
  模块的封装设计确保了良好的电气隔离和机械强度,适用于严苛的工业环境。
  具备高短路耐受能力,提高了系统在异常条件下的可靠性。
  优化的热设计有助于提高模块在高负载条件下的散热性能,延长使用寿命。
  支持多种冷却方式,包括自然冷却和强制风冷,适应不同应用场景的需求。

应用

PXN8R3-30QLJ 常用于工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各种高功率电源转换设备。
  它也适用于需要高效能和高可靠性的自动化控制系统和电力电子设备中。

替代型号

PMX8R3-30QLJ, IXGH80N60C3

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PXN8R3-30QLJ参数

  • 现有数量1,193现货
  • 价格1 : ¥4.45000剪切带(CT)3,000 : ¥1.57254卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11.4A(Ta),31A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.3 毫欧 @ 11.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)760 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装MLPAK33
  • 封装/外壳8-PowerVDFN