时间：2025/9/15 4:08:40
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PSMN7R0-100PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优良的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：160 A
漏极-源极电压（Vds）：100 V
栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：7.0 mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：180 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSO-10
极数：3 引脚
PSMN7R0-100PS 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 7.0 mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的 Trench 技术，实现了优异的性能与尺寸优化，使其在高电流和高功率密度的应用中表现出色。
其漏极-源极击穿电压为 100V，可承受较高的工作电压，适用于多种功率转换电路。栅极-源极电压范围为 ±20V，具备较强的抗干扰能力，适用于高频开关应用。漏极电流可达 160A，能够满足高负载电流的需求。
此外，该器件具有高达 180W 的功耗能力，具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其封装形式为 PowerSO-10，具备良好的热管理能力，便于在 PCB 上安装和散热。
PSMN7R0-100PS 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可在极端环境条件下正常运行，适用于工业级和汽车级应用。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体效率。由于其优异的性能指标，PSMN7R0-100PS 在电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机控制等领域具有广泛的应用前景。
PSMN7R0-100PS 常用于各种高功率和高效率要求的应用场景，包括 DC-DC 转换器、电源管理系统、负载开关、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和低损耗的电源转换应用。
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