时间：2025/7/1 3:42:49
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IPB530N15N3G是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于增强型N沟道MOSFET，主要设计用于高频开关应用和功率转换电路。IPB530N15N3G采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其非常适合于高效能电源、电机驱动器以及工业自动化设备等场景。
这款MOSFET的最大漏源电压为150V，能够承受较高的电压波动，同时其连续漏极电流可达30A（在特定条件下），确保了强大的电流承载能力。此外，该器件还支持逻辑电平栅极驱动，降低了对复杂驱动电路的需求。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（典型值，条件为Vgs=10V）
栅极电荷：85nC
总功耗：210W
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IPB530N15N3G的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低传导损耗并提高整体效率。此外，该器件具有非常低的栅极电荷，从而减少了开关过程中的能量损失，并提升了开关频率的能力。
该MOSFET支持逻辑电平驱动（栅极开启电压低至4V即可实现部分导通），使得它可以直接与标准微控制器或数字信号处理器接口使用，无需额外的电平转换电路。
由于采用了优化的芯片结构和先进的制造工艺，IPB530N15N3G具备出色的热性能和电气稳定性，在高温环境下也能保持可靠的运行状态。
此外，其TO-247封装提供了良好的散热性能，适合大功率应用场景。
IPB530N15N3G广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS）：例如AC-DC适配器、PC电源等。
2. 电机驱动：如工业伺服电机、家用电器电机等。
3. 太阳能逆变器：
4. 电动车辆牵引逆变器：
5. 不间断电源（UPS）系统：
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块：如PLC、变频器等。
这些应用均得益于IPB530N15N3G的高性能表现，包括低导通损耗、快速开关速度和优秀的热管理能力。
IPW50R060N3G
IRFP260N
STP30NF15W
FDP18N15
