时间：2025/8/6 1:54:02
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IXTA4N100是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关和功率管理领域。该MOSFET具有低导通电阻和高耐压能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及逆变器等应用。IXTA4N100采用TO-220封装，便于散热和安装，是一款可靠且性能优越的功率开关器件。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1000V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：2.0Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（Pd）：62W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
IXTA4N100是一款高性能的功率MOSFET，其核心特性之一是高耐压能力，最大漏源电压可达1000V，使其适用于高压电源转换和功率控制应用。该器件的导通电阻较低，最大值为2.0Ω，能够在高电流工作条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，IXTA4N100的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的驱动电路，方便设计和应用。
该MOSFET的最大漏极电流为4A，在适当的散热条件下能够稳定运行，适用于中高功率应用。其最大功耗为62W，得益于TO-220封装良好的热管理能力，能够在较高温度环境下运行。IXTA4N100的工作温度范围从-55°C到+150°C，表现出良好的温度稳定性和可靠性，适用于工业级和高可靠性应用环境。
在结构设计方面，IXTA4N100采用了先进的平面工艺技术，提供优良的开关特性和热稳定性。该器件具有快速开关能力，降低开关损耗，并提高系统的动态响应。其封装形式为TO-220，便于安装在散热片上，提高散热效率，适用于多种电源和功率控制电路。
IXTA4N100广泛应用于各种功率电子设备中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器和开关电源模块。由于其高耐压和良好的导通特性，该MOSFET也适用于高压电源管理系统和工业控制设备。此外，IXTA4N100还可用于LED照明驱动电路、电源适配器和电池管理系统等应用。
IXTA4N100A, IXTP4N100, IRF840, STP4NK10Z
