1N60L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:17:12 阅读：11

1N60L-TN3-R是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛应用于低电压、高频整流场合。该器件采用SOD-123表面贴装封装，具有小型化、高效率和快速开关响应的特点，适合在空间受限且对能效要求较高的电子设备中使用。1N60L-TN3-R的额定反向电压为60V，最大平均整流电流为300mA，适用于多种便携式电子产品和电源管理电路。由于其低正向导通压降（VF）和低反向漏电流（IR），该二极管在轻载条件下表现出优异的能量转换效率，有助于延长电池供电设备的工作时间。
　　该型号中的“-TN3-R”通常表示卷带包装（Tape and Reel），适用于自动化贴片生产线，提升了大规模制造过程中的装配效率。1N60L-TN3-R符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，其结构设计具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合工业控制、消费类电子和通信设备等多种应用场景。

参数

类型：肖特基二极管
　　极性：单极
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5A
　　最大正向电压降（VF）：520mV @ 300mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 60V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　产品系列：1N60L
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）

特性

1N60L-TN3-R的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，相比传统的PN结二极管，显著降低了正向导通电压。在典型工作条件下，其正向压降仅为520mV左右，这意味着在相同电流下产生的导通损耗更小，从而提高了整体系统的能效。这一特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，有助于减少发热并延长续航时间。此外，由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管具备极快的反向恢复速度，几乎可以忽略反向恢复时间（trr），这使得它非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及防止反接保护电路中。
　　另一个关键优势在于其紧凑的SOD-123封装形式。该封装尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm，占用PCB面积小，便于实现高密度布局，尤其适合超薄和微型化电子产品设计。尽管体积小巧，但该器件仍具备良好的散热能力和机械强度，能够在-55°C至+125°C的结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。同时，其高达150°C的存储温度上限也增强了在回流焊等高温工艺中的耐受能力。
　　从可靠性角度看，1N60L-TN3-R经过严格的质量控制流程，具备出色的长期稳定性。其反向漏电流在常温下不超过10μA，在高温条件下也能保持较低水平，避免因漏电增加而导致系统功耗上升或误动作。此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD）和瞬态过电流承受能力，可在一定程度上抵御来自外部环境的电气冲击，提升系统鲁棒性。综合来看，1N60L-TN3-R凭借低VF、高速度、小尺寸和高可靠性，成为众多低压整流应用中的理想选择。

应用

1N60L-TN3-R因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多个电子领域。在便携式消费类电子产品中，例如移动电话、平板电脑和蓝牙耳机，常用于电池充放电路径中的防反接保护电路，防止电源极性接错导致内部元件损坏。同时，在这些设备的DC-DC升压或降压模块中，该二极管作为续流二极管（flyback diode）使用，帮助维持电感电流连续性，提升转换效率。
　　在电源管理系统中，1N60L-TN3-R可用于低压线性稳压器（LDO）输出端的隔离二极管，防止输入端断电时发生倒灌现象，保护上游电路。此外，在太阳能充电控制器、USB供电接口和小型适配器中，该器件也常用于整流桥的一部分或单独进行单向导通控制，确保能量流向正确且损耗最小。
　　工业控制和自动化设备中，该二极管可用于信号隔离、钳位电路和继电器驱动电路中的续流保护，抑制电感负载断开时产生的反向电动势，保护晶体管或其他开关元件不受损害。在通信模块如Wi-Fi模组、LoRa收发器和GPS定位单元中，1N60L-TN3-R可用于射频前端的偏置电路或直流馈电路径中的隔离功能。
　　此外，由于其符合RoHS和无卤素标准，适用于出口型电子产品和对环保要求较高的项目。总体而言，该器件适用于所有需要高效、小型化、可靠整流功能的低压直流系统，尤其在强调节能与空间优化的设计中表现突出。