SLP40N26C 时间：2025/4/28 16:00:05 阅读：3

SLP40N26C是一种N沟道功率MOSFET，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。
　　其主要特点是优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡，从而提升了效率并降低了功耗。这种MOSFET适用于需要高性能和高可靠性的工业及消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压：26V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：38nC（典型值）
　　总开关能量：150nJ（典型值）
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-252(DPAK)

特性

SLP40N26C的低导通电阻使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低传导损耗。
　　此外，其较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提升整体系统效率。
　　该器件还具备快速开关速度和良好的热稳定性，确保在高功率密度环境下的可靠运行。
　　同时，由于采用了标准DPAK封装，因此便于焊接和集成到各种电路设计中。
　　总体而言，SLP40N26C是一款兼具高性能和易用性的功率MOSFET，非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。

应用

SLP40N26C广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
　　2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流
　　3. 工业电机控制和驱动
　　4. 消费类电子产品中的负载开关
　　5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关
　　6. 电动车窗、电动座椅等汽车电子系统的驱动元件
　　由于其优异的性能，这款MOSFET特别适合于需要频繁开关操作且对效率敏感的场合。