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IRF530NSTRLPBF 发布时间 时间:2025/5/30 15:46:41 查看 阅读:11

IRF530NSTRLPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器等领域。该器件采用 TO-220FP 封装,具有低导通电阻和高效率的特性,能够承受较高的电压和电流,适用于中高功率应用场合。
  这款 MOSFET 的主要特点是其优异的开关特性和较低的功耗,适合需要高效能和快速响应的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:2.7A
  栅源开启电压:4V
  导通电阻(典型值):0.22Ω
  最大功耗:69W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF530NSTRLPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力:该 MOSFET 可以承受高达 100V 的漏源电压,使其在高压环境下表现稳定。
  2. 快速开关速度:得益于其内部结构设计,IRF530 具有非常短的开关时间,可显著降低开关损耗。
  3. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为 0.22Ω,从而减少了导通状态下的功率损耗。
  4. 良好的热性能:TO-220FP 封装提供了良好的散热路径,有助于提升整体系统的可靠性。
  5. 宽温工作范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常运行,适应各种恶劣环境。

应用

IRF530NSTRLPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源:用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源管理系统。
  2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中作为开关元件。
  4. 电池管理:用作电池保护电路中的开关元件。
  5. 照明系统:在 LED 照明驱动电路中提供高效的开关功能。

替代型号

IRF530N, IRF530LPBF, BUZ11

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IRF530NSTRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF530NSTRLPBF-NDIRF530NSTRLPBFTR