IRF530NSTRLPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器等领域。该器件采用 TO-220FP 封装,具有低导通电阻和高效率的特性,能够承受较高的电压和电流,适用于中高功率应用场合。
这款 MOSFET 的主要特点是其优异的开关特性和较低的功耗,适合需要高效能和快速响应的应用场景。
最大漏源电压:100V
最大漏极电流:2.7A
栅源开启电压:4V
导通电阻(典型值):0.22Ω
最大功耗:69W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRF530NSTRLPBF 的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:该 MOSFET 可以承受高达 100V 的漏源电压,使其在高压环境下表现稳定。
2. 快速开关速度:得益于其内部结构设计,IRF530 具有非常短的开关时间,可显著降低开关损耗。
3. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为 0.22Ω,从而减少了导通状态下的功率损耗。
4. 良好的热性能:TO-220FP 封装提供了良好的散热路径,有助于提升整体系统的可靠性。
5. 宽温工作范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常运行,适应各种恶劣环境。
IRF530NSTRLPBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源:用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源管理系统。
2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中作为开关元件。
4. 电池管理:用作电池保护电路中的开关元件。
5. 照明系统:在 LED 照明驱动电路中提供高效的开关功能。
IRF530N, IRF530LPBF, BUZ11