类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压降（VF）：@ IF = 300mA 时典型值 850mV
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 60V, TA = 25°C 时最大值 5μA
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-523
　　安装类型：表面贴装
　　产品等级：商业级
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限制)
　　符合标准：RoHS
　　引脚数：2

1N60AL-TN3-R的核心特性之一是其优异的开关性能，这主要得益于其肖特基势垒结构的设计。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了正向导通压降（VF）。在IF = 300mA的工作电流下，其典型VF仅为850mV，远低于普通硅二极管的1V以上水平。这种低VF特性意味着更少的能量以热量形式损耗，从而提高了电源系统的整体能效，尤其适合对功耗敏感的电池供电设备。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr ≤ 4ns）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷。这一特点使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。相比之下，传统快恢复二极管的trr通常在几十纳秒甚至上百纳秒，明显逊色于本器件。
　　1N60AL-TN3-R采用SOD-523超小型封装，外形紧凑，底面尺寸约为1.6mm × 0.8mm，高度仅约1.2mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于高集成度的移动终端产品。尽管体积小巧，但其仍具备高达60V的反向耐压能力，可在多种低压直流电源系统中安全使用。同时，该器件具有良好的热传导性能，通过优化的内部结构设计确保热量有效传递至PCB焊盘，增强长期工作的可靠性。
　　在环境适应性方面，1N60AL-TN3-R支持-55°C至+150°C的工作结温范围，能够在极端温度环境下保持稳定性能。其湿敏等级为MSL-1，无需特殊干燥储存条件，简化了生产和仓储流程。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保在复杂工况下的长期耐用性。综合来看，1N60AL-TN3-R在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于现代电子系统的高性能小信号肖特基二极管。

1N60AL-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子设备中。其最常见的应用场景之一是便携式消费电子产品中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和智能手表等设备的电池充电路径中，常被用作防反接或防止电池反向放电的保护二极管。由于这些设备对空间和功耗要求极为严格，1N60AL-TN3-R的小型封装和低正向压降特性正好满足设计需求。
　　在DC-DC转换器中，该器件常用于同步整流以外的辅助整流功能，或作为续流二极管（freewheeling diode）连接在电感两端，用于泄放储能电感在开关管关断时产生的反向电动势，保护主控芯片免受高压冲击。尤其是在升压（Boost）或反激（Flyback）拓扑结构中，其快速响应能力和低漏电流表现尤为突出。
　　此外，1N60AL-TN3-R也常用于信号路径中的钳位和保护电路，例如在USB接口、音频线路或传感器输入端口处，用于限制瞬态过电压，防止后级敏感IC受损。其低电容特性有助于减少对高速信号的影响，保证信号完整性。
　　在物联网（IoT）设备、无线传感器节点和可穿戴健康监测设备中，由于普遍采用电池供电且运行周期长，系统必须尽可能降低静态功耗和动态损耗。1N60AL-TN3-R凭借其微安级的反向漏电流和毫安级的工作电流能力，成为理想的选型方案。同时，其卷带包装形式完全兼容自动化贴片生产线，适合大批量制造，进一步提升了其在工业和消费领域的适用性。

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　　 "1N60AL-TN3",
　　 "BAS40-04WT1G",
　　 "PMDS390",
　　 "RB751S40",
　　 "SMS7621"
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