类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50 mA
　　输入反向电压：5 V
　　输出耐压（集射极）：700 V
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　上升时间：3 μs
　　下降时间：3 μs
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP-4
　　隔离电压：5000 VRMS
　　绝缘电阻：10^8 Ω 最小值
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：10 kV/μs 最小值

6N10ZG-TN3-R的核心特性在于其高隔离电压与高击穿耐压能力，输出端集电极-发射极可承受高达700V的电压，使其特别适用于高压开关电源、交流负载控制以及工业PLC等存在较高电压风险的应用场景。这种高耐压特性有效防止了因瞬态过压导致的器件损坏，提高了系统的整体安全性与可靠性。此外，该光耦采用了高效率的GaAs红外LED与灵敏度较高的硅光电晶体管组合，确保在较低的输入驱动电流下仍能实现有效的信号传递，典型条件下仅需5mA至10mA即可使光电晶体管充分导通，兼容TTL及CMOS逻辑电平驱动。
　　该器件的电流传输比（CTR）范围宽达50%至600%，意味着在不同批次和工作条件下仍能保持良好的信号增益一致性，有利于简化外围电路设计并提升系统长期运行的稳定性。CTR的高范围也允许设计者在电路中灵活调整限流电阻和负载电阻，以优化功耗与响应速度之间的平衡。同时，3微秒的上升与下降时间表明其具备较快的开关响应能力，虽然不适用于高速数据传输（如超过几十kHz的信号），但在开关电源反馈环路、继电器驱动、状态检测等中低频应用中表现优异。
　　封装方面，6N10ZG-TN3-R采用SOP-4表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并支持回流焊工艺，提升了生产效率和焊接可靠性。其5000 VRMS的隔离电压符合UL、CSA、VDE等国际安全认证标准，保证了在医疗设备、家用电器和工业控制系统中的合规性。共模瞬态抗扰度（CMTI）达到10 kV/μs以上，说明其在存在强烈电磁干扰或快速电压跳变的环境中仍能稳定工作，避免误触发或信号失真。综合来看，6N10ZG-TN3-R是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的通用型光耦器件，适合多种隔离需求的应用环境。

6N10ZG-TN3-R常用于各类需要电气隔离的电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号隔离后传送到初级侧控制器，从而实现稳定的输出电压调节，同时保障主控芯片不受高压影响。在逆变器、UPS不间断电源和AC-DC转换器中，该光耦可用于驱动信号的隔离传输，确保控制电路与功率电路之间的安全隔离。
　　在工业自动化领域，6N10ZG-TN3-R广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）输入/输出模块中，作为现场传感器或执行器信号的隔离接口，防止外部干扰或故障电压窜入核心控制单元。它也可用于电机驱动器中的栅极驱动隔离、继电器或接触器的驱动隔离电路中，提高系统的抗干扰能力和运行安全性。
　　此外，该器件还适用于电信设备、仪器仪表、电池管理系统（BMS）以及家用电器（如空调、洗衣机）中的微处理器接口隔离，防止地环路噪声和电压差造成的通信异常。由于其具备较高的耐压能力和良好的温度适应性，也可在户外设备或高温环境下稳定运行。总的来说，任何需要在控制信号与高电压/大电流电路之间建立可靠隔离屏障的场合，都是6N10ZG-TN3-R的理想应用场景。

EL3H7(TA)-V,PC817X1NIP0F,TLP521-GBS