时间：2025/9/13 23:39:10
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PSMN5R6-100YSFX 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻和高效率的特性。该器件适用于各种功率转换和管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS)：100V
栅源电压 (VGS)：±20V
漏极电流 (ID)：60A（在 25°C 下）
导通电阻 (RDS(on))：5.6mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
功耗 (Ptot)：90W
栅极电荷 (Qg)：42nC
输入电容 (Ciss)：2150pF
PSMN5R6-100YSFX 采用先进的 Trench 技术，实现了极低的导通电阻 (RDS(on))，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其能够在高功率密度环境中稳定运行。
此外，该器件的栅极电荷 (Qg) 较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。其封装设计具有优异的热性能，能够有效地将热量从芯片传导至 PCB，从而降低系统温度并提高可靠性。
PSMN5R6-100YSFX 还具有良好的雪崩能量承受能力和抗短路能力，适用于需要高鲁棒性的工业和汽车电子应用。其封装符合 RoHS 环保标准，并支持无铅焊接工艺。
PSMN5R6-100YSFX 广泛应用于各类高功率和高效率的电力电子系统中，如同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、服务器电源、电信电源模块、汽车电子系统（如车载充电器 OBC 和 DC-DC 转换器）等。
其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理模块。同时，其 LFPAK56 封装形式具备优异的热管理和机械稳定性，适合在空间受限的高密度 PCB 设计中使用。
IRF1405, SiR144DP, PSMN5R8-100YSF, PSMN6R8-100YSF, PSMN7R9-100YSF
