类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：20V @ Iz = 25mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：42mA
　　功率耗散（Ptot）：1W
　　工作温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：DO-41（轴向引线）
　　极性：单向齐纳
　　测试电流（Iz）：25mA
　　动态电阻（Zzt）：570Ω（最大）
　　漏电流（Ir）：0.25μA @ Vr = 16V
　　储存温度范围：-65°C 至 +175°C

1N4747AT9 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性，适用于多种电压调节和参考源应用场景。该器件的齐纳电压在额定电流下保持稳定，具备良好的温度稳定性和低动态电阻，有助于减小输出电压波动。此外，1N4747AT9 的DO-41封装结构坚固，具有良好的散热能力和机械强度，适合在工业和消费类电子产品中使用。该齐纳二极管的漏电流极低，在反向电压低于齐纳击穿电压时，几乎不导通，确保了电路的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为1W，可在较宽的工作温度范围内正常运行（-65°C 至 +175°C），适应多种环境条件。
　　由于其良好的电压调节性能，1N4747AT9 常用于电源稳压电路、电压参考源、过压保护电路以及测试与测量设备中。该器件的单向齐纳特性使其适用于需要单向电压钳位的场合，如逻辑电路保护和信号调节。其标准的DO-41封装便于与其他电子元件兼容，适合于通孔安装方式，广泛应用于印刷电路板（PCB）设计中。

1N4747AT9 主要用于以下应用场景：电压调节电路中的参考电压源、电源稳压器中的反馈控制、过压保护电路中的电压钳位元件、逻辑电路和模拟电路中的信号调理、测试与测量设备中的电压校准基准，以及各种工业控制系统中的电压监测和稳定电路。

1N4747A-TR, 1N5248B-T, 1N4747, BZX84-C20