FN21N391F500PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 的封装形式为 PXG,属于表面贴装类型,适用于自动化生产流程在中高压应用场景下使用。
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:17A
导通电阻(典型值):0.18Ω
栅极电荷:38nC
总电容(输入电容):1200pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
FN21N391F500PXG 的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:该器件的最大漏源电压为 650V,可以承受较高的电压波动,确保在恶劣环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻:其导通电阻仅为 0.18Ω(典型值),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷(38nC),从而实现快速开关,减少开关损耗。
4. 宽温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作结温范围,适应各种严苛的工作条件。
5. 表面贴装封装:采用 PXG 封装形式,方便进行自动化生产和组装。
FN21N391F500PXG 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动:适用于直流无刷电机和其他电机控制电路。
3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源 (UPS) 中发挥关键作用。
4. 工业设备:例如焊机、工业控制器等需要高效功率转换的应用。
5. 汽车电子:可用于车载充电器、电动助力转向系统等汽车相关产品中。
IRF540N
FDP5500
STP17NF55