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IRFR220NTRLPBF 发布时间 时间:2025/5/7 15:28:48 查看 阅读:5

IRFR220NTRLPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PQFN3333-16封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其额定电压为20V,最大连续漏极电流可达45A。

参数

最大额定电压:20V
  最大连续漏极电流:45A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:9nC
  输入电容:1350pF
  总功耗:45W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:PQFN3333-16

特性

IRFR220NTRLPBF具有非常低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。其优化的栅极电荷设计使得开关损耗得以减少,从而适合高频应用。
  此外,该器件具备出色的热性能和坚固的短路耐量能力,能够在严苛的环境下可靠运行。它还采用了无铅封装,符合环保要求。
  此功率MOSFET支持高效能的同步整流和负载切换功能,同时保持较小的封装尺寸以节省电路板空间。

应用

该器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域中的各种电路。
  主要应用包括:
  - DC-DC转换器中的同步整流
  - 电机驱动电路
  - 负载开关
  - 电池保护
  - 开关电源(SMPS)
  - 各类功率管理模块

替代型号

IRFR220NTRLPB, IRF220NTRLPBF

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IRFR220NTRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 25V
  • 功率 - 最大43W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)