CEP16N10L 时间：2025/8/28 19:46:56 阅读：17

CEP16N10L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、电池充电器等高功率场景。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合于高效率和高频率的功率转换应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大漏极电流 Id：16A（连续）
　　导通电阻 Rds(on)：约 7.5mΩ（典型值，Vgs = 10V）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 3V
　　最大功耗：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

CEP16N10L 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，适用于需要大电流输出的应用场景，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 4.5V 至 12V 驱动电压，兼容多种控制器和驱动 IC。此外，CEP16N10L 的封装设计具备良好的热管理性能，能够有效地将热量传导出去，确保在高功率运行下的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 的开关速度快，有利于减少开关损耗，提高整体系统的能效，尤其适合高频开关应用。器件内部结构优化设计，使其在高温环境下仍能保持稳定工作，提高了整体系统的耐久性和使用寿命。CEP16N10L 通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗静电能力和过温保护性能，确保在各种复杂工作环境下可靠运行。

应用

CEP16N10L 主要应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备、负载开关电路以及汽车电子等高功率应用场景。其低导通电阻和高效率特性，使其成为高密度电源设计的理想选择。