产品类型：双通道肖特基二极管模块
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：150 V
　　平均整流电流（IO）：15 A（每芯片）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：200 A（8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：典型值 0.48 V（在15 A, TJ = 125°C）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0 mA（在150 V, TJ = 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻（RθJC）：典型值 1.5 °C/W（每个芯片到外壳）
　　封装类型：RSM1
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260 °C回流）
　　符合标准：RoHS、无卤素、无铅（LF）、符合SN标准（可追溯批次）

15FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(S) 的核心优势在于其采用了先进的沟道肖特基（Trench Schottky）技术，显著降低了正向导通压降，同时抑制了传统肖特基二极管常见的反向漏电流问题。这种技术通过在硅基材上构建深沟槽结构，增强了电场分布的均匀性，从而提升了器件的耐压能力与可靠性。在高温工作条件下，该器件仍能保持较低的VF值，有效减少导通损耗，提升系统效率。尤其在高频开关电源应用中，低VF意味着更少的功率耗散，进而降低散热需求，有助于实现更紧凑的电源设计。
　　该器件具有极快的反向恢复速度，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间趋近于零，避免了传统PN结二极管在关断时产生的反向恢复电流尖峰。这一特性对于与IGBT或SiC MOSFET配合使用的续流二极管尤为重要，可以显著降低开关过程中的电压过冲和电磁干扰（EMI），延长主开关器件的使用寿命。
　　RSM1封装采用高强度陶瓷基板和直接铜键合（DBC）技术，提供了优异的热传导性能和机械强度。该封装设计支持大电流传输，并具备良好的抗热循环疲劳能力，适用于长期高负载运行的应用场景。器件底部大面积铜焊盘可直接焊接至PCB散热区域，实现高效热管理。此外，其三引脚结构便于布局布线，有助于降低寄生电感，进一步提升高频性能。
　　该器件还具备高浪涌电流承受能力，可在短时过载或启动冲击下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。批量生产中采用严格的筛选和测试流程，确保每批产品的电气参数一致性与高可靠性。TB后缀表示卷带包装，适用于自动化贴片设备，提高生产效率。 (LF) 表示无铅，(SN) 表示可追溯序列号，(S) 可能代表特定客户或规格版本，适用于对供应链追溯要求高的工业和汽车级应用。

15FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(S) 广泛应用于各类高效率、高可靠性要求的电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它常被用作IGBT模块的续流二极管，提供快速响应的反向电流路径，防止电机绕组感应电压损坏主开关器件。在太阳能光伏逆变器中，该器件用于直流侧或交流侧的整流与保护电路，凭借低导通损耗提升整体转换效率，尤其是在部分光照条件下的低负载工况下表现优异。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该肖特基模块用于电池充放电回路或DC-DC变换级，确保能量高效传递，同时减少发热。在通信电源、服务器电源等高密度开关电源（SMPS）设计中，其低VF和快速恢复特性有助于实现更高频率的工作模式，缩小磁性元件体积，提升功率密度。
　　此外，该器件也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及工业加热电源等应用场景。由于其宽温区工作能力和高可靠性，特别适合部署在高温、高湿或振动剧烈的恶劣环境中。在与宽禁带半导体（如SiC或GaN）器件协同工作时，该肖特基二极管能够弥补宽禁带器件体二极管恢复较慢的缺点，提升系统开关性能与效率。其表面贴装封装形式也便于实现自动化生产和回流焊接，适用于大批量制造场景。

VS-F15XPR150NOHM3