IRF9523是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。这种器件通常用于开关和放大应用,特别是在需要高效能和快速切换的电路中。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源管理和信号处理场景。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:4.2A
峰值脉冲漏极电流:16A
导通电阻:0.55Ω
总栅极电荷:18nC
输入电容:320pF
输出电容:100pF
反向传输电容:65pF
结温范围:-55℃至+150℃
IRF9523具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:其最大漏源电压为100V,适合在高压环境中使用。
2. 低导通电阻:在特定条件下,导通电阻仅为0.55Ω,从而减少了导通损耗。
3. 快速开关性能:由于其较低的总栅极电荷和电容值,能够实现快速的开关动作。
4. 稳定的工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的宽泛工作温度区间,确保了在极端环境下的可靠性。
5. 较高的持续漏极电流:可以承受高达4.2A的持续电流,满足大功率应用需求。
IRF9523广泛应用于各种电子设备中,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,提高电源转换效率。
2. 电机驱动器:用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 逆变器:在太阳能逆变器等设备中充当关键的功率开关元件。
4. 负载开关:用于动态管理不同负载的开启与关闭。
5. 保护电路:如过流保护、短路保护等场景中的开关元件。
IRF520, IRFZ44N, BUZ11