电容值：3.3 pF
　　额定电压：50 V
　　容差：±0.1 pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　介质材料：Class I（如C0G/NPO）
　　绝缘电阻：10000 MΩ
　　温度系数：±30 ppm/°C

TCCR60E1H335MT 是基于Class I介质材料（如C0G/NPO）的多层陶瓷电容器，具有极高的稳定性。其温度系数为±30 ppm/°C，确保在宽温度范围内保持稳定的电容值。该电容器的容差为±0.1 pF，适合用于对电容值要求极为精确的应用场景。此外，其工作温度范围为-55°C至+125°C，使其能够在极端温度条件下可靠运行。该电容器还具有低损耗、高频特性优良、可靠性高等优点，广泛应用于射频电路、振荡器和滤波器中。
　　TCCR60E1H335MT 的封装尺寸为0603（1608公制），符合主流SMT（表面贴装技术）工艺要求，便于在PCB上进行高密度布局。其额定电压为50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理和信号处理电路。该电容器的绝缘电阻高达10000MΩ，确保在高阻抗电路中具有极低的漏电流。此外，由于采用陶瓷材料和多层结构设计，该电容器在机械强度和热稳定性方面表现出色。

TCCR60E1H335MT 通常用于高频射频电路、振荡器、滤波器、放大器、调谐电路以及精密模拟电路等应用场景。它在无线通信设备、智能手机、基站、测试仪器、工业控制系统和汽车电子系统中都有广泛的应用。此外，该电容器还可用于需要高稳定性和低损耗的电源管理电路和信号处理电路。

GRM1885C1H335JA01D (Murata)
　　CL21B330JBANNE (Samsung Electro-Mechanics)
　　CC0603KRX5R4BB335 (Kemet)
　　ECJ-2FB1H335K (Panasonic)