时间：2025/7/23 15:21:07
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D7N20是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：9.4A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
功率耗散（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
D7N20具有较低的导通电阻，使其在导通状态下损耗更小，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，适用于200V以下的高压电路应用。由于其封装形式为TO-252，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用。该器件的栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容。此外，D7N20还具有较强的抗过载和短路能力，适用于需要稳定可靠工作的电源系统。该MOSFET适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，其热稳定性良好，可在高温环境下稳定工作。
D7N20常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、逆变器、LED驱动电源、工业自动化控制系统以及各类功率电子设备中。
IRF540N, FQP9N20C, STP9NK60Z, FQA9N20C
