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S2PF290N65R 发布时间 时间:2025/9/6 2:41:44 查看 阅读:8

S2PF290N65R是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET器件,主要用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET属于N沟道类型,具有较低的导通电阻以及较高的效率,适用于电源转换器、电动机控制和负载开关等电路设计。S2PF290N65R采用了先进的制造技术,确保了其在高压条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):290A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为2.7mΩ
  最大功耗(Pd):360W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  

特性

S2PF290N65R具备多项显著的技术特性,首先是其低导通电阻,典型值为2.7mΩ,这大大降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。其次,该器件的最大漏极电流可达290A,使其能够在高电流负载条件下稳定工作。此外,S2PF290N65R的最大漏源电压为650V,适合应用于高电压系统,如工业电源和电机驱动器。该MOSFET的封装形式为TO-247,这种封装方式不仅便于安装,而且有助于提高散热性能。S2PF290N65R还具备出色的热稳定性,其工作温度范围为-55°C至150°C,能够在各种环境条件下可靠运行。另外,该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V,使得其可以与多种控制电路兼容,增强了设计的灵活性。
  在可靠性方面,S2PF290N65R采用了先进的制造工艺和材料,能够承受较高的热应力和机械应力,从而延长了使用寿命。该器件的总功耗为360W,表明其具有良好的散热能力,可以在高功率应用中长时间运行而不出现性能下降。此外,S2PF290N65R的内部结构设计优化了电场分布,降低了击穿风险,提高了长期工作的稳定性。这些特性使得S2PF290N65R成为工业设备、电源系统以及高性能电子产品的理想选择。

应用

S2PF290N65R广泛应用于需要高电压和大电流能力的电子系统中。其中,电源转换器是其主要应用领域之一,包括DC-DC转换器、AC-DC整流器以及不间断电源(UPS)等。此外,S2PF290N65R也常用于电机驱动系统,例如工业自动化设备中的变频器和伺服电机控制模块。在电动车和新能源系统中,该MOSFET可作为功率开关,用于电池管理系统(BMS)和充电器设计。此外,S2PF290N65R还适用于高功率LED照明驱动、开关电源(SMPS)以及工业自动化控制设备中的负载切换电路。由于其高耐压和低导通电阻的特性,该器件也适合用于高频开关应用,如谐振变换器和ZVS(零电压开关)拓扑结构。

替代型号

TK290E06K、TK290F06K、IXFN290N65X2、STF290N65M2、IRGP50B60PD1

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