电容值：0.1μF
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：0603（1.6×0.8mm）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端子结构：镍阻挡层+锡镀层
　　RoHS合规性：是
　　最小包装数量：4000只/卷

CB03YTYN190所采用的X7R型介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，具有优异的温度稳定性，其电容值在-55℃至+125℃的工作温度范围内变化不超过±15%。这种特性使得该电容器非常适合用于需要在宽温环境下保持电气性能一致性的应用场景，如电源管理电路中的去耦电容或模拟前端的滤波网络。相比Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的材料，X7R在容量密度与稳定性之间实现了良好平衡。
　　该器件的0.1μF电容值在50V额定电压下提供了较高的性价比，尤其适用于直流偏压不高的电源轨旁路应用。值得注意的是，多层陶瓷电容器的实际可用电容会随着施加的直流偏置电压而下降，而X7R材料在此方面的表现优于更高介电常数的Z5U或Y5V材料。CB03YTYN190在接近额定电压时仍能维持较高比例的标称电容，从而保障滤波效果的稳定性。
　　在结构设计方面，该电容器采用多层堆叠技术，在微小的0603封装内实现多层电极交替排列，提升了单位体积的电容密度。同时，其端电极为双层结构，底层为铜或镍阻挡层，外层为可焊性良好的纯锡镀层，有效防止了银离子迁移和焊接过程中的润湿不良问题。这种结构也增强了抗热应力能力，减少因回流焊或热循环引起的裂纹风险。
　　CB03YTYN190还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频噪声抑制方面表现出色，特别适合用于开关电源输出端的滤波电路或高速数字IC的本地去耦。此外，由于其非极性特性，安装时无需考虑极性方向，简化了PCB布局与装配流程。

CB03YTYN190广泛应用于各类电子设备中的去耦、滤波和信号耦合电路。常见用途包括为微处理器、FPGA、ASIC和其他高速数字集成电路提供电源去耦，有效滤除高频噪声并稳定供电电压。其0.1μF典型值是业界公认的“黄金电容值”，常被部署在每一个电源引脚附近以降低局部阻抗并提升系统抗干扰能力。
　　在电源管理系统中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波网络，配合其他容值的电容构成多级滤波结构，提高电源纹波抑制比。在工业控制设备中，它可用于PLC模块、传感器接口和通信收发器的信号路径中，起到交流耦合和噪声隔离的作用。
　　此外，CB03YTYN190也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等，用于音频放大器旁路、射频模块滤波以及显示驱动电路的稳定化。在汽车电子领域，尽管该型号并非AEC-Q200认证器件，但仍可用于部分非关键车载系统，如车载信息娱乐系统的辅助电源滤波。
　　由于其小型化和高可靠性的特点，该电容器也常见于便携式医疗设备、物联网终端节点和无线传感器网络中，满足紧凑设计和长期运行的需求。