时间：2025/7/5 1:27:05
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1206N820G202CT 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用 1206 封装形式。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高耐压能力，非常适合高频和高效率的应用场景。
这款 GaN HEMT 器件能够显著提高功率转换效率，并减少系统体积和重量，适用于各类电源管理、工业控制和通信设备。
封装：1206
额定电压：800V
额定电流：20A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：50nC
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
开关频率：最高可达 3MHz
1206N820G202CT 具备以下主要特性：
1. 极高的开关速度，可实现高频应用下的高效能量转换。
2. 低导通电阻，有效降低传导损耗并提升整体效率。
3. 耐高压性能，能够在高达 800V 的环境下稳定运行。
4. 热性能优异，支持高温环境下的可靠操作。
5. 减少磁性元件的尺寸需求，从而优化设计空间和成本。
6. 与传统硅基 MOSFET 相比，提供更优的功率密度和热管理能力。
该器件适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器设计。
3. 高效 LED 驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 通信基础设施中的高频功率放大器。
6. 电动汽车充电站及车载充电器中的功率变换组件。
1206N820G102CT, 1206N650G202CT
