时间：2025/6/29 5:56:33
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PESDNC3D5VBL 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的瞬态电压抑制器 (TVS)，用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有超低电容和高钳位性能，非常适合高速数据线和高频信号线路的保护需求。
这款 TVS 器件采用紧凑的 SOD-323 封装形式，使其适合在空间受限的应用中使用。其单向设计可确保在正向或反向电压下的高效保护。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±8A
最大箝位电压：10.9V
响应时间：≤1ps
结电容：0.4pF
漏电流：1μA（最大值，在20V下）
封装类型：SOD-323
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESDNC3D5VBL 提供了卓越的 ESD 保护能力，能够承受 ±8kV（接触放电）和 ±15kV（空气放电）的 ESD 冲击。其极低的电容（0.4pF）使得它非常适合用于高速接口，如 USB 3.1、HDMI 2.0、DisplayPort 等。此外，它的快速响应时间（≤1ps）可以有效抑制瞬态电压，从而避免对敏感电路造成损害。
由于采用了氮化镓技术，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。其单向设计减少了误触发的可能性，进一步提高了系统的安全性。
PESDNC3D5VBL 广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信系统中的 ESD 保护场景。具体应用包括但不限于以下方面：
1. 高速数据接口保护，例如 USB、HDMI、以太网等。
2. 射频 (RF) 和无线通信模块的保护。
3. 汽车电子系统的信号线路保护。
4. 工业自动化设备中的传感器和控制线路保护。
5. 移动设备和其他便携式电子产品的 I/O 端口保护。
PESD5V0X1B, SMAJ5.0A, SMBJ5.0A
