时间：2025/7/10 13:51:30
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1206N682G160CT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，主要用于高频、高效能的应用场景。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻。其设计适合于电源转换、射频放大器和其他需要高性能功率处理能力的领域。
这款 GaN 器件相比传统硅基 MOSFET 提供了更快的开关速度和更高的效率，从而使得系统设计更加紧凑且节能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：小于50ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1206N682G160CT 的主要特性包括高耐压能力（高达650伏特）、低导通电阻（仅为35毫欧）以及快速开关速度。这些特点使其非常适合硬开关和软开关应用中的功率转换任务。此外，该器件还具备较低的栅极电荷，这有助于减少驱动损耗并提高整体效率。
由于采用了氮化镓材料，这款晶体管能够在更高频率下运行，同时保持出色的热稳定性和可靠性。另外，其紧凑型设计也为工程师提供了更多的电路板布局灵活性。
1206N682G160CT 广泛应用于各种工业及消费类电子产品中，例如数据中心服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电站以及不间断电源 (UPS) 等领域。在这些场合下，它被用来实现 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器以及其他形式的能量管理功能。
此外，此型号也适用于通信基础设施建设中的射频功率放大器，为无线基站提供必要的信号增益。
1206N650G150CT, 1206N600G170CT
