时间：2025/5/23 21:48:58
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EMK325B7106KN-T是一款高性能的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种高频开关应用及电源管理场景。
这款功率MOSFET主要设计用于需要高效能、低损耗的应用环境，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等电路中。其封装形式为TO-252（DPAK），能够提供优异的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻：40mΩ
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 紧凑的封装尺寸，便于PCB布局和散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 具有优秀的热稳定性和可靠性，适应苛刻的工作环境。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于电压调节。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关应用场景。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护与切换功能。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF7404, AO3400, FDP5802
