时间：2025/6/4 3:12:59
阅读：21
STD95NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的MDmesh?技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于多种功率转换和控制应用。其封装形式为TO-220 Fullpak，能够提供高效的散热性能，适合在高功率密度环境下工作。
STD95NH02LT4的主要目标市场包括电机驱动、电源管理、DC-DC转换器、负载切换以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制场景。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.5A
导通电阻（典型值）：37mΩ
栅极电荷（典型值）：21nC
总电容（输入电容）：1280pF
功耗：260W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
STD95NH02LT4具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，确保在高电流条件下减少功耗和发热。
2. 快速开关能力，有助于提高效率并降低EMI（电磁干扰）。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. MDmesh?技术的应用进一步优化了开关特性和热性能。
5. 具备出色的热稳定性和电气稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. TO-220 Fullpak封装提供了良好的机械强度和散热性能，非常适合高功率应用。
STD95NH02LT4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，例如适配器、充电器等。
2. 各种电机驱动系统，如家用电器中的风扇、泵和压缩机。
3. DC-DC转换器和逆变器电路。
4. 电池管理系统（BMS），用于保护锂离子电池免受过充或过放影响。
5. 汽车电子中的负载切换和继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 家用电器及消费类电子产品中的功率调节与控制。
STD95NH02LTT4, IRF840, BUZ11
