时间：2025/9/1 23:56:42
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H5TC4G63CFR-PBC 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。它属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）技术，专为高性能计算（HPC）、图形处理、AI加速器和高端显卡等应用设计。这款芯片采用了先进的堆叠封装技术，提供高带宽、低功耗和小尺寸的特点。
容量：4GB
类型：DRAM（HBM2）
封装类型：FBGA
工作电压：1.3V
数据速率：2.4Gbps
接口：HBM2接口
通道数量：2
行地址位数：16位
列地址位数：10位
刷新周期：64ms
温度范围：-40°C至+85°C
H5TC4G63CFR-PBC芯片的一个核心特性是其高带宽性能，通过使用HBM2技术，它可以实现高达2.4Gbps的数据速率，从而在图形处理和AI计算中提供极高的数据吞吐能力。此外，该芯片采用了3D堆叠封装技术，使多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，显著减少了占用面积，同时提升了内存密度和带宽效率。
该芯片的工作电压为1.3V，相比传统的GDDR5或DDR4内存，功耗更低，适合对能效要求较高的设备。此外，它支持2个独立通道，允许并行数据访问，从而进一步提高数据传输效率。其FBGA封装形式确保了良好的电气性能和散热能力，适用于高密度电路板设计。
为了确保稳定运行，H5TC4G63CFR-PBC支持标准的64ms自动刷新周期，并可在-40°C至+85°C的宽温度范围内工作，适用于工业级和高可靠性应用场景。
H5TC4G63CFR-PBC广泛应用于需要高性能内存的设备，如高端显卡、AI加速器、数据中心服务器、高性能计算系统以及图形工作站。由于其高带宽和低功耗特性，它也非常适合用于深度学习、实时渲染、科学计算和虚拟现实等对内存带宽敏感的应用场景。
H5TC4G63AMR-PBC, H5TC4G63CFR-PLC, H5TC4G63CFR-PBA
