12065A751KA12A 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关模式电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频应用中提供卓越的效率和性能。
该芯片属于 N 沱沟道增强型 MOSFET,适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的应用场景。其封装形式和电气特性使其非常适合工业和消费类电子设备中的各种应用。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:12A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:开启延迟时间 25ns,关断延迟时间 15ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
12065A751KA12A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合于现代高效能转换器设计。
3. 高电流处理能力,允许在大负载条件下稳定运行。
4. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 强大的抗雪崩能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到绿色能源解决方案中。
12065A751KA12A 芯片的主要应用场景包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动器中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 电动汽车及混合动力汽车的动力总成系统。
5. 各种负载切换和保护电路中的关键组件。
6. 高效 DC-DC 转换器设计中的核心功率半导体器件。
IRFZ44N
STP12NK75
FDP150N75S