IR3Y30MI 时间：2025/8/28 6:14:26 阅读：5

IR3Y30MI 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用场景。IR3Y30MI 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高耐压能力，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

IR3Y30MI 的核心特性在于其卓越的导通性能和高效的开关能力。该器件的导通电阻仅为 3.7mΩ，在 Vgs=10V 时，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其最大漏源电压为 30V，适用于多种低压功率转换应用。IR3Y30MI 的连续漏极电流可达 110A，具备强大的电流承载能力，适合高功率密度的设计需求。
　　该 MOSFET 采用 PowerPAK SO-8 封装，具备优异的热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅源电压范围为 ±20V，具有较高的栅极驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力。此外，IR3Y30MI 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在极端环境下保持稳定性能，适用于工业和汽车等对可靠性要求较高的应用场景。
　　在开关特性方面，IR3Y30MI 具有快速的开关响应能力，能够有效降低开关损耗，提升整体系统效率。这使得它在高频率的 DC-DC 转换器和同步整流电路中表现出色，特别适合用于电源管理系统和高性能电机控制应用。

应用

IR3Y30MI 广泛应用于各类高效率功率转换系统中。其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高电流承载能力和优异的导通性能，该器件在汽车电子系统中也常用于电源管理和电机驱动电路。此外，IR3Y30MI 还适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和通信电源系统。