时间：2023/7/25 11:27:46
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产品型号 | CSD17308Q3 |
描述 | 场效应管N-CH 30V 47A 8SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET? |
打包 | 切割带(CT) |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C?150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) |
包装/箱 | 8电源TDFN |
基本零件号 | CSD17308 |
CSD17308Q3
制造商包装说明 | 3.30 X 3.30 MM，符合RoHS标准，塑料，SON-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
雪崩能量等级(Eas) | 65.0兆焦耳 |
案例连接 | 排水 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 44.0安 |
最大漏极电流(ID) | 47.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.0165欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 30.0伏 |
反馈上限(Crss) | 35.0 pF |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JESD-30代码 | S-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 5 |
操作模式 | 增强模式 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 小轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
极性/通道类型 | N通道 |
最大功耗(Abs) | 28.0瓦 |
最大脉冲漏极电流(IDM) | 78.0安 |
资格状态 | 不合格 |
子类别 | FET通用电源 |
安装类型 | 表面贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 平面 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
附加功能 | 雪崩等级 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
针对5V栅极驱动进行了优化
超低Q g和Q gd
低热阻
雪崩等级
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤素
SON 3.3毫米×3.3毫米塑料封装
笔记本负载点
网络，电信和计算系统中的负载点同步降压
CSD17308Q3符号
CSD17308Q3脚印
