时间：2025/8/14 6:20:27
阅读：18
PJD4NA90_L2_00001 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。这款器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路。PJD4NA90_L2_00001 采用先进的封装技术，确保在高功率操作下具有良好的散热性能，同时具备较低的导通电阻和快速的开关特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：90V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK（Power-SO8）
PJD4NA90_L2_00001 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件采用了先进的LFPAK封装技术，这种封装不仅提供了优异的热管理能力，还减少了寄生电感，从而提高了高频开关性能。
此外，PJD4NA90_L2_00001 的最大漏极电流高达120A，能够在高负载条件下保持稳定运行，确保系统的可靠性和耐用性。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够与多种驱动电路兼容，简化了设计过程。
在热管理方面，PJD4NA90_L2_00001 的封装设计优化了散热路径，能够在高功率密度条件下保持较低的结温，延长器件的使用寿命。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于各种恶劣的工业和汽车环境。
PJD4NA90_L2_00001 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效功率转换和高电流能力的系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及汽车电子系统（如车载充电器和电池管理系统）。
在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效的能量转换，减少发热并提高系统整体效率。在DC-DC转换器中，PJD4NA90_L2_00001 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高频率、高效率的电压调节。此外，在电机控制应用中，该器件能够承受频繁的开关操作和较大的负载变化，确保电机运行的平稳性和响应性。
由于其优异的热性能和高可靠性，PJD4NA90_L2_00001 也常用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中。
SiR142DP, IPB090N04S4-07, BSC090N04LS G
