ST25N10 时间：2025/6/27 10:49:01 阅读：3

ST25N10是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率转换和开关的场景。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于多种电源管理应用。

参数

型号：ST25N10
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗(Ptot)：140W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

ST25N10是一款性能优异的N沟道功率MOSFET，其特点包括以下几点：
　　1. 高效的功率转换能力，得益于其较低的导通电阻Rds(on)，这有助于减少功率损耗。
　　2. 具备良好的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持稳定运行。
　　3. 高电流承载能力，最高支持16A的连续漏极电流，适合用于大功率应用环境。
　　4. 快速开关速度，有助于提高系统的整体效率。
　　5. 采用标准的TO-220封装，便于安装与散热设计。

应用

ST25N10广泛应用于各类需要高效功率控制的电子设备中，典型应用场景包括：
　　)设计中的功率开关元件。
　　2. 直流电机驱动电路，提供高效的功率输出和控制。
　　3. 各种工业控制领域，如逆变器、不间断电源(UPS)等。
　　4. 电池充电器及负载切换电路中的关键元件。
　　5. 一般用途的功率转换和开关应用。