类型：DRAM
　　容量：16Gb
　　接口类型：DDR4
　　工作电压：1.2V
　　数据速率：2666MT/s
　　封装形式：BGA
　　引脚数：78-ball
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：10mm x 10mm

CS3225X7T226M160NRL 是一款高度集成的 DRAM 存储芯片，具有以下特点：
　　1. 高速数据传输：支持 DDR4 标准，数据速率达到 2666MT/s，能够满足对性能要求较高的应用场景。
　　2. 低功耗设计：采用 1.2V 工作电压，有效降低系统整体功耗，特别适合便携式设备和对能效有严格要求的系统。
　　3. 大容量存储：单颗芯片提供 16Gb 的存储容量，可显著减少系统中所需芯片的数量，从而优化 PCB 布局并降低成本。
　　4. 可靠性高：具备 ECC（错误检查与纠正）功能，能够在运行过程中检测并修正数据错误，确保数据完整性。
　　5. 广泛的工作温度范围：支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围，适用于各种严苛环境下的应用需求。
　　6. 小型化封装：采用 10mm x 10mm 的 BGA 封装形式，节省空间，便于在紧凑型设计中使用。

CS3225X7T226M160NRL 芯片广泛用于需要高效数据处理和大容量存储的应用场景，包括但不限于：
　　1. 嵌入式计算设备：如路由器、交换机和其他网络设备。
　　2. 消费电子产品：如智能电视、游戏主机和个人电脑。
　　3. 工业控制系统：如自动化设备、监控系统和医疗仪器。
　　4. 汽车电子：如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统。
　　5. 物联网设备：如智能家居设备和传感器节点。

CS3225X7T226M160NRA, CS3225X7T226M160NRH