类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.65Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252、TO-263（D2PAK）等

10N65/CJPF10N65 MOSFET具备以下主要特性：
　　首先，它具有较高的电压耐受能力（650V），适用于中高功率的开关电源和逆变器设计，能够有效应对电压尖峰和瞬态过压情况，提高系统稳定性。
　　其次，其较低的导通电阻（Rds(on) ≤0.65Ω）可以降低导通损耗，提高整体能效，同时减少发热，延长器件使用寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常支持10V至20V之间的驱动电压，便于与各种驱动电路匹配。此外，它具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小功率变换器的体积。
　　10N65/CJPF10N65采用标准的TO-220或D2PAK封装形式，便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适应恶劣环境条件下的应用需求。

10N65/CJPF10N65 MOSFET主要应用于以下领域：
　　在开关电源（SMPS）中，它被广泛用于AC-DC转换器的主开关器件，能够高效地处理中高功率的电能转换任务。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压变换，适用于电源适配器、充电器、服务器电源等场合。
　　此外，它还适用于电机驱动和负载开关应用，如电动工具、风扇控制、LED照明驱动等，能够提供稳定的电流控制和良好的动态响应。
　　由于其高可靠性和耐高压特性，10N65/CJPF10N65也常用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能光伏逆变系统中，作为关键的功率开关元件。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于继电器替代、电源管理模块以及智能电表等设备。

FQP10N65C、IRF840、10N60、10N65F、STP10NM65N、K2645、K2694